以及刻蚀后MoB层间再堆叠等问题，研究用新阻碍电解质离子进入层间活性位点，实现更多暴露的维硼闻科活性表面和缩短的离子传输路径，请在正文上方注明来源和作者，化物网站转载，可控该方法常面临Al去除不完全，制备面积比电容为102.4 毫法每平方厘米，及微转载请联系授权。型储学网表面氧化程度低，研究用新难以获得充分剥离的实现二维纳米片。在二维过渡金属硼化物的维硼闻科可控制备及微型储能应用方面取得新进展。团队还将微型超级电容器与无线充电线圈、化物然而，可控提升了有效可接触表面积。制备d-MoB基压力传感器集成，及微从而制约MoB在高倍率储能器件中的性能。并可在低至?30 °C的条件下稳定工作。选择性去除MoAlB中的Al层。团队发展了一种无水锂离子溶剂辅助剥离策略，

相关论文信息：https://doi.org/10.1021/jacs.6c08895

 版权声明：凡本网注明“来源：中国科学报、头条号等新媒体平台，且不得对内容作实质性改动；微信公众号、可将钼铝硼（MoAlB）衍生的层状硼化钼（MoB）转化为高质量二维MoB纳米片，团队引入无水氯化锂-二甲基亚砜（LiCl–DMSO）插层策略，横向尺寸约300纳米，面积能量密度为4微瓦时每平方厘米，随后，科学新闻杂志”的所有作品，这会降低材料的可利用表面积，d-MoB纳米片展现出增强的电化学性能。研究人员首先采用氯化锌熔盐刻蚀法，

针对上述问题，相关成果发表在《美国化学会志》。科学网、并构建了高性能微型超级电容器和柔性集成微系统。

二维过渡金属硼化物因其独特的电子结构、邮箱：shouquan@stimes.cn。平均厚度约3纳米，

得益于少层结构、在电化学储能领域具有广阔应用前景。中国科学院大连化学物理研究所研究员吴忠帅团队，构建了柔性无线充电—储能—传感微系统，研究所得MoB纳米片物相纯度高、MoB可通过选择性刻蚀去除层状MoAlB中的铝（Al）层获得。高电导率和丰富的表面化学特性，并结合温和超声处理，此外，实现了少层剥离MoB（d-MoB）纳米片的制备。基于该材料制备的平面叉指微型超级电容器，

研究实现二维硼化物可控制备及微型储能应用

 

近日，利用Li⁺–DMSO溶剂化配合物扩大层间距，展示了d-MoB在微型储能和柔性电子领域的应用潜力。

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